Sidense SHF宏瞄准采用台积电28纳米工艺的高性能和低功耗应用

　　领先的非易失性存储器一次性可编程(OTP)知识产权(IP)内核开发商Sidense Corp.今日宣布，其应用于台积电28纳米HPL、HPM以及HPC工艺的1T-OTP宏符合TSMC9000质量管理计划的所有要求。Sidense SHF存储器IP的用途包括代码存储、ROM替换、安全加密密钥存储、配置、保险丝替换、微调以及校准。

　　Sidense首席执行官兼总裁Xerxes Wania表示：“对于移动计算和手持通信等前沿应用而言，高性能和低功耗显得至关重要。我们已同台积电展开密切合作，以使我们的共同客户在使用安全可靠的嵌入式非易失性存储器(NVM)时拥有竞争优势。该NVM完全符合台积电TSMC9000计划针对高品质IP提出的所有要求。一些客户已获得在他们的尖端设计中使用我们的28纳米1T-OTP宏的许可。”

　　Sidense SHF宏为高性能和大范围位密度进行了优化，适用于标准CMOS工艺，而且不需要任何额外掩模或工艺步骤。

　　Sidense SHF存储器IP是一个完整的非易失性存储器(NVM)子系统，具备支持一系列嵌入式集成电路应用的接口和功能。SHF宏具有安全性高、功耗极低、编程速度快、可现场编程、读取电压低以及读取模式多样化等特点，优化了读取性能和宏区域。SHF模块整合了一次性可编程(OTP)和集成电源(IPS)硬宏块，以及程序控制、编程与测试接口、纠错和内建自测试(BIST)RTL。

　　SHF在设计上十分成熟，并已大量部署于40纳米工艺。SHF 1T位单元架构是针对先进工艺技术的解决方案，针对更先进工艺技术(包括20纳米和16纳米FinFET)的开发也已进入最后阶段。

　　SHF存储器宏适用范围广泛，从移动通信应用到不断扩大的物联网生态系统均可见到其身影。

　　台积电28纳米低功耗高介电系数金属闸极(HPL)技术采用了与台积电HP工艺相同的栅极迭层，同时符合更严格的低漏电要求，且对性能速度的影响最小。28HPM适合从网络、平板电脑到移动消费电子产品等多种多样的应用。28HPC是28HPM的一个精简版本，收紧了SPICE模型边角，放宽了设计规则。相较于28HPM，28HPC在性能和功耗方面均有所改进。

　　台积电设计基础架构营销部高级总监Suk Lee表示：“Sidense提供了适合多种台积电工艺技术的广泛的OTP解决方案，包括我们的28纳米高介电系数金属闸极技术。这种多样化使我们的客户可以为他们的下一代产品选择并构建最佳解决方案。”

　　关于Sidense公司

　　Sidense公司提供用于标准逻辑CMOS工艺的高密度、高可靠性和高安全性的非易失性一次性可编程(OTP)逻辑非易失性存储器(LNVM)智权(IP)。公司已经获得或正在申请的专利超过120项，公司提供基于创新型单晶体管1T-Fuse(TM)比特单元的OTP存储器IP许可，1T-Fuse的制造过程不需要额外的掩模或工艺步骤。与闪存、掩模型ROM、eFuse及其他嵌入式和芯片外NVM技术相比，Sidense 1T-OTP宏提供了一个更好的现场可编程、高可靠性和高成本效益的解决方案，适合程序储存、密钥、模拟信号调整和设备配置等多种用途。

　　目前已有120多家公司，包括许多无厂半导体制造商和IDM厂商，采用Sidense 1T-OTP作为356多种芯片设计的NVM解决方案。客户日益认识到，该解决方案能显著降低成本和能耗，还为从移动和消费电子设备到高温、高可靠性的汽车和工业电子设备等应用提供了更好的安全性和可靠性。该IP被提供给所有顶级半导体晶圆厂和精选的IDM厂商并得到它们的支持。Sidense总部在加拿大渥太华，并在世界各地设有销售办事处。了解更多详情，请访问：www.sidense.com  。

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